RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Comparez
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Note globale
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Note globale
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
18.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,935.8
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
45
Autour de -61% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
28
Vitesse de lecture, GB/s
6,336.8
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,935.8
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1144
3708
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link