RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Comparez
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Note globale
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
66
Autour de 32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
2,935.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
66
Vitesse de lecture, GB/s
6,336.8
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,935.8
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1144
2038
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link