RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Comparez
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Note globale
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,935.8
17.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
45
Autour de -50% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
30
Vitesse de lecture, GB/s
6,336.8
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,935.8
17.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1144
3773
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link