RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Comparez
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Note globale
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
10
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
45
Autour de -50% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
2,935.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
30
Vitesse de lecture, GB/s
6,336.8
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,935.8
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1144
2234
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link