RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Comparez
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Note globale
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Note globale
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
45
Autour de -15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
7.7
6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.8
2,935.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
39
Vitesse de lecture, GB/s
6,336.8
7.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,935.8
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1144
1768
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link