RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Comparez
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Note globale
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Note globale
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
19.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,935.8
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
45
Autour de -61% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
28
Vitesse de lecture, GB/s
6,336.8
19.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,935.8
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1144
3650
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link