RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Comparez
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Note globale
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Note globale
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
77
Autour de 42% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.9
2,935.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
77
Vitesse de lecture, GB/s
6,336.8
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,935.8
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1144
1549
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link