RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Comparez
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Note globale
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Note globale
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
12
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
45
Autour de -73% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.5
2,935.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
26
Vitesse de lecture, GB/s
6,336.8
12.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,935.8
5.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1144
1925
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link