RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Comparez
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Note globale
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Note globale
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,935.8
13.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
45
Autour de -36% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
33
Vitesse de lecture, GB/s
6,336.8
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,935.8
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1144
2987
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link