RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Comparez
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Note globale
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,935.8
13.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
45
Autour de -96% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
23
Vitesse de lecture, GB/s
6,336.8
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,935.8
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1144
3004
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link