RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Comparez
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Note globale
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
20.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,935.8
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
45
Autour de -150% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
18
Vitesse de lecture, GB/s
6,336.8
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,935.8
18.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1144
3529
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
UMAX Technology 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link