RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Comparez
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Note globale
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Note globale
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,935.8
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
45
Autour de -41% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
32
Vitesse de lecture, GB/s
6,336.8
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,935.8
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1144
2641
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link