RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Comparez
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Note globale
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
18.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,935.8
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
45
Autour de -73% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
26
Vitesse de lecture, GB/s
6,336.8
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,935.8
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1144
3756
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Comparaison des RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link