RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Comparez
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Note globale
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
29
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
3409
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link