RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Note globale
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
94
Autour de 72% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
94
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
1699
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
INTENSO 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link