RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Comparez
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Note globale
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
6.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
26
Autour de -8% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
24
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
6.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
1845
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link