RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
26
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
25
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
2542
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link