RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Note globale
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
31
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
2847
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB Comparaison des RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP351F72AMP4N3Y5 4GB
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link