RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
44
Autour de 41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
44
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
10.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
2374
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kllisre 0000 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link