RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
49
Autour de 47% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
49
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
10.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
2374
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link