RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Comparez
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Note globale
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Note globale
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
43
Autour de 40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
43
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
11.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
2532
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link