RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Note globale
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
34
Autour de 24% latence réduite
Raisons de considérer
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
34
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
2732
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link