RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Note globale
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
33
Autour de 21% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
33
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
3224
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVF1B163BEG 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link