RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Note globale
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
32
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
2831
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link