RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
3029
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link