RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Note globale
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
36
Autour de -64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
22
Vitesse de lecture, GB/s
14.8
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2481
3178
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link