RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
36
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.2
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
24
Vitesse de lecture, GB/s
14.8
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
17.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2481
4152
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link