RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Note globale
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
36
Autour de -29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.8
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
28
Vitesse de lecture, GB/s
14.8
19.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2481
3650
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link