RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
36
Autour de -29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
28
Vitesse de lecture, GB/s
14.8
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2481
3501
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Intel 99P5471-013.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link