RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Note globale
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
36
Autour de -20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
10600
Autour de 2.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
30
Vitesse de lecture, GB/s
14.8
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
23400
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2481
3310
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link