RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Note globale
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
37
Autour de 3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
37
Vitesse de lecture, GB/s
14.8
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2481
2389
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link