RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Note globale
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
37
Autour de 24% latence réduite
Raisons de considérer
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
37
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2014
2808
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link