RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Note globale
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
32
Autour de 13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.4
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.5
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
9.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2014
2017
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link