RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
33
Autour de 15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.4
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
9.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2014
2286
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link