RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
31
Vitesse de lecture, GB/s
17.4
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.9
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2735
3318
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link