RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Note globale
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
39
Autour de 21% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.5
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
39
Vitesse de lecture, GB/s
17.4
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.9
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2735
3825
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link