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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
31
Autour de -15% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
27
Vitesse de lecture, GB/s
17.4
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.9
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2735
2545
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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