RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Note globale
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
31
Autour de -24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
25
Vitesse de lecture, GB/s
17.4
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.9
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2735
3297
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link