RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Comparez
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Note globale
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
46
Autour de 33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
46
Vitesse de lecture, GB/s
17.4
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.9
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2735
2961
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link