RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
36
Autour de 14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
36
Vitesse de lecture, GB/s
17.4
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.9
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2735
2569
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link