RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Comparez
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Note globale
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Note globale
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
32
Autour de 3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
32
Vitesse de lecture, GB/s
17.4
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.9
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2735
2641
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link