RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB vs Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Note globale
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
37
Autour de 3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
37
Vitesse de lecture, GB/s
16.4
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.5
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2618
2722
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-D8K3B 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-D8K3B 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link