RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
35
Autour de -21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
29
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2405
3167
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GISL 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
‹
›
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link