RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Note globale
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
29
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
29
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2292
2432
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB Comparaison des RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Comparaison des RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link