RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
66
Autour de 41% latence réduite
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
66
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2324
1934
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link