RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
35
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.1
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
31
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.7
17.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2644
3711
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link