RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
35
Autour de 40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
21
35
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
11.1
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2581
3147
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link