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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Comparez
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Note globale
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Note globale
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
26
Autour de 19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
21
26
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
11.1
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2581
2412
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
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Kingston 9905678-006.A00G 4GB Comparaison des RAM
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
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