RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
31
Autour de -3% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
30
Vitesse de lecture, GB/s
16.8
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.8
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2904
2208
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link