RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Note globale
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
5.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
35
Autour de -13% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
31
Vitesse de lecture, GB/s
16.4
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
11.4
5.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2960
1740
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB Comparaison des RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link